IPP320N20N3 G دیتاشیت

IPP320N20N3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP320N20N3 G
حجم فایل 70.3 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت IPP320N20N3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB320N20N3G
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Continuous Drain Current (Id): 34A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,34A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه